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157 半导体产业

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in Items to Iran

    www.justice.gov

    关于华信内部的文件是怎么详细规避禁运的,又找到了华尔街日报一篇更深入的报道,里面很多有趣的内容,我挑了一些比较典型的翻译一下(以下是华信内部文件原文):

    “在跟Z集团国家(就是五个禁运国)做生意的时候,避免使用我们公司的名义直接签合同,我们应该避免直接出口给他们,而是要在国内外把产品多周转几次”

    “不要使用国家的名字,而要用代号,比如YL,GB”(搞笑的是,YL的后面用括号注释《伊朗》,GB注释为古巴)。

    这篇文件还承认华信跟所有五个禁运国家做生意,包括伊朗,苏丹,北朝鲜,叙利亚,古巴,不仅仅是伊朗。

    这篇文件还有流程图,应该怎么规避禁运调查,事实证明太业余,没多久就露馅。

    可以想象米国调查人员看到这份文件的懵逼感觉。

    这是年销售千亿世界主要的电信供应商还是不入流的乡镇企业?

    庞煖看来,这件事情要分两方面说,

    第一,华信弱智近亲管理层,尤其是油水丰厚的海外部门高层,都是一帮关系户。放着生路不走,偏偏一路选错。现在好了吧?

    美国商务部长罗斯(Wilbur Ross)声明,“华信在当初被美国列入‘实体清单(Entity List)’时向我们撒了谎;在后来的暂缓过程中又向我们撒了谎;最后的调查过程中,还向我们撒谎。”

    国家把这么多资源交给你们,你们就这么办事的?

    所以,第一部分的影响是整个华信集团的经营和管理,从人事到战略,全部都会有重大变化。

    第二,美国人是霸道,但是你又能怎么样呢?科技卡脖子,只能卧薪尝胆,自己搞出来,你华信还有什么联想这些国企,这些年拿着国家的投资,股民的钱,都干什么正事儿了?

    还有汽车里那帮怂逼,反到是华为,吉利,比亚迪这些庶出的民企,在为国为民做事情。真的人家卡你的时候,就知道谁在裸泳了。

    国家芯片产业之后应该会迎来一个爆发性投资期。

    短期的损失是巨大的,但长期来看是利好整个产业向高端迈进。

    在半导体工业的历史长河中,三次全球半导体硅含量提升周期中,回首检视米国、日本、韩国、欧洲、天朝台湾省等全球半导体大国/地区兴衰成败。

    夫以铜为镜,可以正衣冠;以古为镜,可以知兴替;以人为镜,可以明得失。

    全球半导体硅含量提升周期,就是全球半导体工业的历史长河。

    米国的DRAM和半导体工业产值在全球市场占有率中的发展趋势:独立自主的、完整的半导体工业体系,完善的人才培养体系。

    米国人在1975年之前,通过军工国防的投入领先全球建立了独立自主的、完整的半导体工业体系。同时米国人创造硅晶体管、集成电路、MOS、CMOS和DRAM等一系列半导体科技的基础。

    英特尔凭借着在MOS、晶体管等技术的领先优势,通过1K DRAM,硅片直径为50mm,芯片面积为8.5mm2,集成度为5000,占据了全球半导体DRAM内存市场的82.9%的市场份额。

    随后莫斯泰克公司在4K DRAM,硅片直径为75mm,芯片面积为15.9mm2,集成度为11000。

    通过单晶体管单元,差分读出技术和地址复用技术等科技红利的技术创新取代了英特尔,就集成度而言,全球半导体最先进的DRAM集成度从5000提升到11000,增长了120%。

    这一时期,米国人是全球半导体产业绝对的领导者。

    这一时期全球半导体硅含量从0到5%的提升过程中,大型机和小型机从发明到普及,米国人抓住了历史的机遇。

    1975-1985年的第一次DRAM世界大战-美日半导体战争中,米国人在DRAM的竞争中开始全面被日本人赶超,DRAM的全球市场份额从峰值的90%左右,大幅度下滑到20%。

    这使得米国半导体在全球半导体产业中的占比从峰值的90%滑落到40%左右。

    米国人在DRAM的失败,最主要在于16K、64K、256K DRAM的研制上,全面落后于日本人。以16K DRAM为例,日本人通过二层多晶硅技术使得DRAM芯片的集成度达到37000,这比起当时莫斯泰克、英特尔主流产品的集成度11000整整提升了236%。

    而日本人通过循环位线、折叠数据线等新技术的应用,率先推出64K DRAM,集成度再次提升到155000,这比起16k的11000集成度,又提高13倍,这时候米国人已经基本没有能力追赶了。

    这一时期米国人在科技红利投入上,特别是有效研发投入上是低于日本人的,双方之间的DRAM军备竞争已经不在一个层面上进行的。

    日本人通过64K DRAM,宣告全球半导体工业进入了新的时期-大规模集成电路时代。

    科技思想上的落后使得米国人几乎错失了一个时代,米国50家半导体公司联合起来,秘密结为同盟,希望能够在256K DRAM反超日本人。

    但是,日本人凭借“官产学”三位一体的国家力量,领先于米国人早早就实现了256K DRAM的规模量产。

    日本人的256K DRAM,采用三层多晶硅和冗余技术等新技术,将集成度再次推高到555000,这在当时是无法想象的。

    米国人在整个美日半导体战争的失败,可以说,全球半导体工业从MOS晶体管、集成电路时代向超大规模集成电路(VLSI)时代转变过程中的失败。

    关键原因在于科技红利投入,特别是有效研发投入上的落后。

    而这一时期是第一次全球半导体硅含量提升周期,因为大型机、小型机的渗透率快速提升。

    全球半导体硅含量从5%快速提升到20%,全球半导体工业产值从5亿美金,首次突破1000亿美金。

    从1986-2016年,米国人开始捡起了央格鲁-撒克逊人的传统政策-均衡政策,通过1986、1991年两次签署的《美日半导体协议》对日本人进行限制。

    日本人强大,就扶持韩国人抗衡;韩国人强大,就借助台湾人进行制约,保持着在全球半导体产业竞争中的均衡优势。
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